溶液浸泡法是一种通过将硅片放入溶液中浸泡来清除表面污染的方法。它是湿法化学清洗中最简单和最常用的一种方法。通过选择不同的溶液，可以清除不同类型的表面污染杂质。

在溶液浸泡过程中，溶液与硅片表面的污染杂质发生化学反应及溶解作用，从而达到清除硅片表面污染杂质的目的。为了提高浸泡法的效率，通常会辅以加热、超声或兆声波、摇摆等物理措施。

加热可以加快化学反应速度，促进污染杂质的溶解，使清洗更彻底。超声或兆声波可以增强溶液的搅拌和振动，增加溶液与硅片表面的接触面积，提高清洗效果。摇摆可以使硅片在溶液中充分搅拌，从而更好地清除表面污染。

除了单纯的溶液浸泡法，还可以采用其他清洗方法与溶液浸泡法相结合，以达到更好的清洗效果。例如，在采用SC1溶液浸泡的同时，可以辅以酸碱中和反应，以去除硅片表面的有机污染物。

超声波清洗是一种在半导体工业中常用的清洗方法，其优点是清洗效果好、操作简单，能够清除复杂的器件和容器。然而，该方法也存在一些缺点，如噪音较大和换能器易损坏。

在超声波清洗过程中，强烈的超声波作用在液体介质内部，导致产生疏部和密部。疏部会产生近乎真空的空腔泡，当空腔泡消失的瞬间，其附近产生强大的局部压力，使分子内的化学键断裂，从而使硅片表面的杂质解吸。当超声波的频率和空腔泡的振动频率共振时，机械作用力达到最大，泡内积聚的大量热能促进化学反应的发生。

超声波清洗的效果受到超声条件的影响，如温度、压力、超声频率和功率等。提高超声波功率往往有利于清洗效果的提高，但对于小于1μm的颗粒的去除效果并不太好。该方法主要用于清除硅片表面附着的大块污染和颗粒。

在半导体工业中，超声波清洗通常与其他清洗方法相结合，以达到更好的清洗效果。例如，在使用溶液浸泡法的同时，辅以超声波振动可以更彻底地清除硅片表面的污染杂质。虽然超声波清洗具有一些缺点，但在适当的条件下，其清洗效果是十分显著的。

兆声波清洗是一种在半导体工业中常用的清洗方法，它不仅保留了超声波清洗的优点，而且克服了超声波清洗的一些不足。兆声波清洗的机理是由高能频振效应并结合化学清洗剂的化学反应对硅片进行清洗的。

在清洗时，由换能器发出波长为1.5μm、频率为0.8兆赫的高能声波。溶液分子在这种声波的推动下作加速运动，最大瞬时速度可达到30cm/s。以高速的流体波连续冲击晶片表面，使硅片表面附着的污染物和细小微粒被强制除去并进入到清洗液中。

兆声波清洗可以去除晶片表面上小于0.2μm的粒子，这是超声波清洗无法做到的。这种方法同时起到了机械擦片和化学清洗两种方法的作用。目前，兆声波清洗方法已成为抛光片清洗的一种有效方法。